SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则（SJ 20744-1999），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials。
半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则（SJ 20744-1999）是在1999-11-10发布，在1999-12-01开始实施。
本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。
本标准文件共有5页。
SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则.pdf (858.96 KB)

2021-12-3 22:41 上传

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