SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法:本标准为SJ 20858-2002，标准的中文名称为碳化硅单晶材料电学参数测试方法，标准的英文名称为Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material，本标准在2002-12-12发布，在2003-05-01开始实施。
本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
本标准文件共有9页。
SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法.pdf