GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范（GB/T 6219-1998），该标准的归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会，英文名为Semiconductor devices Discrete devices. Part 8:Field-effect transistors. Section One. Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz。
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范（GB/T 6219-1998）是在1998-11-17发布，在1999-06-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-8-1-1987,IDT。
本空白详细规范规定了制定1GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管洋细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
本标准文件共有18页。
GB_T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分_场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.pdf