SJ 20067-1992 半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范:半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范（SJ 20067-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type 2CZ30 silicon rectifier diode。
半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范（SJ 20067-1992）是在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了2CZ30型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证三个等级(GP、GT和GCT级)。
本标准文件共有8页。
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