SJ 20066-1992 半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范:半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范（SJ 20066-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack。
半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范（SJ 20066-1992）是在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
本标准文件共有7页。
SJ 20066-1992 半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范.pdf