SJ 50033/133-1997 半导体分立器件SY5629-5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范:半导体分立器件SY5629-5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范（SJ 50033/133-1997），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete devices. Detail specification for type SY5629-5665A tramsient voltage suppression diodes。
半导体分立器件SY5629-5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范（SJ 50033/133-1997）是在1997-06-17发布，在1997-10-01开始实施。
本规范规定了SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有14页。
SJ 50033_133-1997 半导体分立器件SY5629-5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范.pdf