SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率 场效应晶体管详细规范:本标准为SJ 50033/120-1997，标准的中文名称为半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率 场效应晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor，本标准在1997-06-17发布，在1997-10-01开始实施。
本规范规定了CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
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SJ 50033_120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率 场效应晶体管详细规范.pdf