SJ 50033/96-1995 半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范:本标准为SJ 50033/96-1995，标准的中文名称为半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DG216 NPN silicon low-power difference matched. Pair transistor，本标准在1996-06-14发布，在1996-10-01开始实施。
本规范规定了3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
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SJ 50033_96-1995 半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范.pdf