SJ 50033/89-1995 半导体分立器件CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范:半导体分立器件CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/89-1995），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６8and ＣＳ６７70 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor。
半导体分立器件CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/89-1995）是在1995-05-25发布，在1995-12-01开始实施。
本规范规定了CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有14页。
SJ 50033_89-1995 半导体分立器件CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范.pdf