SJ 50033/88-1995 半导体分立器件CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范:本标准为SJ 50033/88-1995，标准的中文名称为半导体分立器件CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６０and ＣＳ６７６２ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor，本标准在1995-05-25发布，在1995-12-01开始实施。
本规范规定了CS6760和CS6762型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有14页。
SJ 50033_88-1995 半导体分立器件CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范.pdf