SJ 50033/86-1995 半导体分立器件CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范:本标准为SJ 50033/86-1995，标准的中文名称为半导体分立器件CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６ silicon P-channel deplition mode field-effect transistor，本标准在1995-05-25发布，在1995-12-01开始实施。
本规范规定了CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
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SJ 50033_86-1995 半导体分立器件CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf