SJ 50033/83-1995 半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范:半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/83-1995），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor。
半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/83-1995）是在1995-05-25发布，在1995-12-01开始实施。
本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
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SJ 50033_83-1995 半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范.pdf