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GB_T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法.pdf

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GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法:

多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法（GB/T 24582-2023），英文名为Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method。
多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法（GB/T 24582-2023）是在2023-08-06发布，在2024-03-01开始实施。
本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。
本标准文件共有7页。

标准封面截图：
GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

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