SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则:本标准为SJ/T 2658.1-2015，标准的中文名称为半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则，标准的英文名称为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode
. Part 1: General，本标准在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了对半导体红外发射二极管进行光电参数测量的一般要求,包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
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SJ_T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则.pdf