SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流:半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流（SJ/T 2658.3-2015），该标准的归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院，英文名为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 3:Reverse voltage and reverse current。
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流（SJ/T 2658.3-2015）是在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有6页。
SJ_T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流.pdf