SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法:低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法（SJ/T 11489-2015），该标准的归口单位为全国半导体材料和设备标准化技术委员会，英文名为Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers。
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法（SJ/T 11489-2015）是在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm2的圆形InP晶片的EPD的测量。
本标准文件共有8页。
SJ_T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf