SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法:本标准为SJ/T 11490-2015，标准的中文名称为低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法，标准的英文名称为Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers，本标准在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。
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SJ_T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf