SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法:硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法（SJ/T 11493-2015），该标准的归口单位为全国半导体设备与材料标准化技术委员会，英文名为Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry。
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法（SJ/T 11493-2015）是在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2%(1×1020at.cm-3)的单品样品,其中氮的浓度大于等于1×1014at.cm-3。
本标准文件共有12页。
SJ_T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法.pdf