SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法:砷化镓晶片热稳定性的试验方法（SJ/T 11497-2015），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers。
砷化镓晶片热稳定性的试验方法（SJ/T 11497-2015）是在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10^4Ω·cm～10^9Ω·cm范围半绝缘砷化稼单晶材料的热稳定性试验。
本标准文件共有8页。
SJ_T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法.pdf