SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法:本标准为SJ/T 11498-2015，标准的中文名称为重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法，标准的英文名称为Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry，本标准在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了用二次离子质谱法(SINS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2%(1×1020at·cm-3)的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω· cm～0.2Ω·cm的ｎ型硅材料。
本标准文件共有12页。
SJ_T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法.pdf