SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法:碳化硅单晶电学性能的测试方法（SJ/T 11499-2015），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide。
碳化硅单晶电学性能的测试方法（SJ/T 11499-2015）是在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15～426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10^5Ωcm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。
本标准文件共有12页。
SJ_T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法.pdf