本标准为SJ 20060-1992，标准的中文名称为半导体分立器件 3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120，本标准在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
本标准文件共有9页。
SJ 20060-1992 半导体分立器件 3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.pdf
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