本标准为SJ 50033/172-2007，标准的中文名称为半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductro discrete devices. Detail specification for type 3DA519 silicon microwave pulse power transistor，本标准在2008-01-24发布，在2008-02-01开始实施。
本规范规定了3DA519型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
本标准文件共有12页。
SJ 50033_172-2007 半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf
(310.43 KB)
|
|
