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SJ 50033/85-1995 半导体分立器件CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范

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ianse 发表于 2021-12-5 14:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本标准为SJ 50033/85-1995,标准的中文名称为半导体分立器件CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范,标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS141 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor,本标准在1995-05-25发布,在1995-12-01开始实施。
本规范规定了CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有10页。
SJ 50033_85-1995 半导体分立器件CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf (1.61 MB)
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吴大大是瓜袜子 发表于 2022-2-13 00:39 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!!
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guowei 发表于 2022-2-14 02:36 | 显示全部楼层
感谢分享
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