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DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法

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穿越火线客服 发表于 2023-6-7 19:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
《GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法》(DB13/T 5695-2023),适用地区为河北省,所属行业为无,《GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法》(DB13/T 5695-2023)是在2023-05-06发布,在2023-06-06开始实施。
本标准文件共有12页。
DB13_T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法.pdf (848.78 KB)
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zxczxc 发表于 2023-7-28 16:55 | 显示全部楼层
这个好啊,谢谢了。
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fantasia 发表于 2023-7-28 19:44 | 显示全部楼层
这个不错
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