DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

cccat · 发表于 2025-4-12 17:21

《发光二极管芯片点测方法》（DB35/T 1370-2013），适用地区为福建省，所属行业为信息传输、软件和信息技术服务业，该标准的归口单位为省信息化局，《发光二极管芯片点测方法》（DB35/T 1370-2013）是在2013-12-04发布，在2014-03-01开始实施。
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
本标准文件共有12页。

DB35_T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法.pdf (389.95 KB)

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