本标准为SJ/T 11492-2015，标准的中文名称为光致发光法测定磷镓砷晶片的组分，标准的英文名称为Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence，本标准在2015-04-30发布，在2015-10-01开始实施。
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λPL)在640nm～670nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。
本标准文件共有12页。 SJ_T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分.pdf(1.73 MB)
