SJ 50033/106-1996 半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范:半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范（SJ 50033/106-1996），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS203 GaAs microwave low noise field effect transistor。
半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范（SJ 50033/106-1996）是在1996-08-30发布，在1997-01-01开始实施。
本规范规定了CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有10页。
SJ 50033_106-1996 半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范.pdf