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SJ 50033/106-1996 半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范

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yx321346556 发表于 2021-12-6 00:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范(SJ 50033/106-1996),该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所,英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS203 GaAs microwave low noise field effect transistor。
半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范(SJ 50033/106-1996)是在1996-08-30发布,在1997-01-01开始实施。
本规范规定了CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有10页。
SJ 50033_106-1996 半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范.pdf (1.44 MB)
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zzl103295444 发表于 2022-2-28 09:28 | 显示全部楼层
强强强强
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ghostlee 发表于 2023-11-13 19:40 | 显示全部楼层
感谢分享~
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