SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法:发光二极管外延片测试方法（SJ/T 11471-2014），该标准的归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院，英文名为Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes。
发光二极管外延片测试方法（SJ/T 11471-2014）是在2014-10-14发布，在2015-04-01开始实施。
本标准规定了可见光发光二极管外延片的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。
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SJ_T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法.pdf