SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容

呵呵呵 · 发表于 2021-4-10 03:35

本标准为SJ/T 2658.4-2015，标准的中文名称为半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容，标准的英文名称为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 4:Total capacitance，本标准在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有5页。

SJ_T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容.pdf (1.94 MB)

1063387823 · 发表于 2022-5-16 15:36

下载很快

wangzhanju521 · 发表于 2022-10-5 18:42

强强强强

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SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容

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