SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法第7部分:辐射通量

qw1551374575 · 发表于 2021-4-12 15:42

半导体红外发射二极管测量方法第7部分:辐射通量（SJ/T 2658.7-2015），该标准的归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院，英文名为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 7:Radiant flux。
半导体红外发射二极管测量方法第7部分:辐射通量（SJ/T 2658.7-2015）是在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有5页。

SJ_T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法第7部分_辐射通量.pdf (2.05 MB)

蝴蝶梦123 · 发表于 2022-4-20 22:58

看看先

293213=21312 · 发表于 2022-5-18 19:30

感谢分享~

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SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量

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