IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法（SJ 20636-1997），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC。
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法（SJ 20636-1997）是在1997-06-17发布，在1997-10-01开始实施。
本标准规定了厚度为O.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准通用于室温电阻率在大于0.1Ωcm的硅晶片中间隙氧含最微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围,对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at.cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度;对于替位碳含最为5.0×10^(15)at.cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。
本标准文件共有9页。 SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法.pdf(1.24 MB)
