本标准为SJ/T 10482-1994，标准的中文名称为半导体中深能级的瞬态电容测试方法，标准的英文名称为Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques，本标准在1994-04-11发布，在1994-10-01开始实施。
该标准采用了标准ASTM F978-90,NEQ。
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化嫁等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
本标准文件共有6页。
SJ_T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容测试方法.pdf
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