SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率

132165156 · 发表于 2021-4-9 17:54

本标准为SJ/T 2658.6-2015，标准的中文名称为半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率，标准的英文名称为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 6:Radiant power，本标准在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有9页。

SJ_T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法第6部分_辐射功率.pdf (3.57 MB)

多多 · 发表于 2021-12-21 13:31

支持下啊

2498915123 · 发表于 2022-2-10 06:24

看看怎样

asd1263943147 · 发表于 2025-2-14 15:17

感谢分享，很有用

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SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率

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